Introduzione

Quella che vi proponiamo in queste pagine è una breve guida, non esaustiva ma utile, su come ottimizzare al meglio le proprie memorie al fine di ottenere prestazioni migliori senza spendere neanche un Euro. Nel nostro caso abbiamo utilizzato un kit di G.Skill F3-12800CL6T-6GBTD (2 GB x3) .

Prima di procedere con la guida vi riportiamo un breve vademecum sui termini utilizzati:

CAS Latency (tCL): valore indicante l’intervallo di tempo tra l’invio di una richiesta in lettura ed il momento in cui inizia effettivamente la trasmissione del dato. Per ottenere le maggiori prestazioni tale valore deve essere il più basso possibile.

RAS to CAS Delay (tRCD): valore che indica il ritardo (in inglese delay) che intercorre tra il segnale RAS e quello CAS. Per ottenere le maggiori prestazioni, tale valore deve essere il più basso possibile.

RAS Precharge Time (tRAS) : valore che rappresenta il periodo di tempo che intercorre tra un segnale RAS e il successivo. Per ottenere le maggiori prestazioni, tale valore deve essere il più basso possibile.

Cycle Time (TRAS) : valore che indica il periodo di tempo richiesto per rendere disponibile un segnale una volta prelevato da una cella di memoria. Per ottenere le maggiori prestazioni, tale valore deve essere il più basso possibile.

Row Refresh Cycle Time (TRFC) : valore che indica il periodo di tempo che intercorre tra il comando di auto-refresh ed un qualunque comando successivo (di scrittura, lettura, o auto-refresh). Per ottenere le maggiori prestazioni, tale valore deve essere il più basso possibile.

Command Rate (CR) : valore che indica il periodo di tempo che intercorre tra due comandi che vengono imparititi alle memoria in modo consecutivo. Può essere impostato ai valori 1T/2T/3T, in linea di massima 1T ha migliori prestazioni (latenza più bassa), però impostando 2T/3T si avranno maggiori possibilità nell’overclock della frequenza.